ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်မှုအပေါ် အပူချဲ့ထွင်ခြင်း၏ တိကျသော သြဇာလွှမ်းမိုးမှု။

့
အဆုံးစွန်တိကျမှုကိုလိုက်စားသည့် semiconductor ထုတ်လုပ်မှုနယ်ပယ်တွင်၊ အပူချဲ့ထွင်ခြင်း၏ကိန်းဂဏန်းသည် ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးနှင့် ထုတ်လုပ်မှုတည်ငြိမ်မှုကို ထိခိုက်စေသည့် အဓိကကန့်သတ်ချက်များထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။ photolithography မှ etching မှ packaging မှ process တစ်ခုလုံးတွင်၊ material များ၏ thermal expansion coefficients ကွာခြားချက်များသည် ထုတ်လုပ်မှု တိကျမှုကို နည်းအမျိုးမျိုးဖြင့် အနှောင့်အယှက်ပေးနိုင်ပါသည်။ သို့သော်၊ ၎င်း၏အလွန်နိမ့်သောအပူတိုးချဲ့ဖော်ကိန်းနှင့်အတူ granite အခြေစိုက်စခန်းသည်ဤပြဿနာကိုဖြေရှင်းရန်သော့ချက်ဖြစ်လာသည်။ ့
Lithography လုပ်ငန်းစဉ်- အပူဓာတ်ပုံပျက်ခြင်းသည် ပုံစံသွေဖည်မှုကို ဖြစ်စေသည်။
Photolithography သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် အဓိကခြေလှမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ photolithography စက်မှတဆင့်၊ mask ပေါ်ရှိ circuit ပုံစံများကို photoresist ဖြင့်ဖုံးလွှမ်းထားသော wafer ၏မျက်နှာပြင်သို့လွှဲပြောင်းပေးသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ photolithography စက်အတွင်းရှိအပူစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့်အလုပ်စားပွဲ၏တည်ငြိမ်မှုသည်အရေးကြီးပါသည်။ ရိုးရာသတ္တုပစ္စည်းများကို နမူနာအဖြစ် ယူပါ။ ၎င်းတို့၏အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းသည် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 12×10⁻⁶/℃ ဖြစ်သည်။ photolithography စက်၏လည်ပတ်မှုအတွင်း၊ လေဆာအလင်းရင်းမြစ်၊ optical မှန်ဘီလူးများနှင့်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအစိတ်အပိုင်းများမှထုတ်ပေးသောအပူသည်စက်ပစ္စည်း၏အပူချိန်ကို 5-10 ℃အထိမြင့်တက်စေသည်။ ပုံသဏ္ဍာန်စက်၏အလုပ်စားပွဲသည် သတ္တုအခြေခံကိုအသုံးပြုပါက၊ 1 မီတာရှည်သောအခြေသည် 60-120 μm ၏ချဲ့ထွင်ပုံသဏ္ဍာန်ကိုဖြစ်ပေါ်စေနိုင်ပြီး၊ ၎င်းသည် မျက်နှာဖုံးနှင့် wafer အကြားရှိအနေအထားပြောင်းသွားမည်ဖြစ်သည်။ ့
အဆင့်မြင့်ကုန်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် (ဥပမာ 3nm နှင့် 2nm ) သည် ထရန်စစ္စတာအကွာအဝေးသည် နာနိုမီတာအနည်းငယ်သာရှိသည်။ ထိုသို့သောသေးငယ်သောအပူပုံစံပုံသဏ္ဍာန်သည် photolithography ပုံစံကိုမှားယွင်းစေကာ ပုံမှန်မဟုတ်သောထရန်စစ္စတာချိတ်ဆက်မှုများ၊ တိုတောင်းသောဆားကစ်များ သို့မဟုတ် အဖွင့်ဆားကစ်များနှင့် အခြားပြဿနာများဖြစ်စေကာ chip လုပ်ဆောင်ချက်များကို တိုက်ရိုက်ကျရှုံးစေပါသည်။ Granite Base ၏ အပူချဲ့ကိန်းသည် 0.01μm/°C (ဆိုလိုသည်မှာ (1-2)×10⁻⁶/℃)၊ တူညီသောအပူချိန်ပြောင်းလဲမှုအောက်တွင် ပုံပျက်ခြင်းမှာ သတ္တု၏ 1/10-1/5 သာရှိသည်။ ၎င်းသည် photolithography စက်အတွက် တည်ငြိမ်သော load-bearing platform ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး photolithography ပုံစံ၏ တိကျသော လွှဲပြောင်းမှုနှင့် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်း၏ အထွက်နှုန်းကို သိသိသာသာ ပိုမိုကောင်းမွန်စေပါသည်။ ့

ထွင်းထုခြင်းနှင့် အစစ်ခံခြင်း- ဖွဲ့စည်းပုံ၏ အတိုင်းအတာတိကျမှုကို ထိခိုက်စေသည်။
Etching နှင့် deposition များသည် wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် သုံးဖက်မြင် circuit များကို တည်ဆောက်ရန်အတွက် အဓိက လုပ်ငန်းစဉ်များဖြစ်သည်။ etching လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ ဓာတ်ပြုသောဓာတ်ငွေ့သည် wafer ၏မျက်နှာပြင်ပစ္စည်းနှင့် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုကိုခံရသည်။ တစ်ချိန်တည်းတွင်၊ စက်အတွင်းရှိ RF ပါဝါထောက်ပံ့မှုနှင့် ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုထိန်းချုပ်မှုကဲ့သို့သော အစိတ်အပိုင်းများသည် အပူကိုထုတ်ပေးပြီး wafer ၏အပူချိန်နှင့် စက်ပစ္စည်းအစိတ်အပိုင်းများကို မြင့်တက်လာစေသည်။ wafer carrier ၏အပူချဲ့ခြင်း သို့မဟုတ် စက်ပစ္စည်းအခြေခံသည် wafer ၏အပူနှင့်မကိုက်ညီပါက (ဆီလီကွန်ပစ္စည်း၏အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းသည် ခန့်မှန်းခြေ 2.6×10⁻⁶/℃)) အပူချိန်ပြောင်းလဲသောအခါတွင် အပူဖိစီးမှုကို ထုတ်ပေးမည်ဖြစ်ပြီး၊ wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် သေးငယ်သောအက်ကွဲမှုများ သို့မဟုတ် ကွဲထွက်ခြင်းများဖြစ်စေနိုင်သည်။ ့
ဤပုံသဏ္ဍာန်ပုံစံသည် ထွင်းထုခြင်းအတိမ်အနက်နှင့် ဘေးဘက်နံရံ၏ ဒေါင်လိုက်ကို ထိခိုက်စေမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထွင်းထားသောအပေါက်များ၏ အတိုင်းအတာ၊ အပေါက်များနှင့် အခြားဖွဲ့စည်းပုံများသည် ဒီဇိုင်းလိုအပ်ချက်များမှ သွေဖည်သွားစေသည်။ အလားတူပင်၊ ပါးလွှာသောဖလင် အစစ်ခံခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ အပူအားချဲ့ထွင်ခြင်း ခြားနားချက်သည် အနည်ကျနေသော ပါးလွှာသော ဖလင်တွင် အတွင်းပိုင်းဖိစီးမှုကို ဖြစ်စေနိုင်ပြီး၊ ဖလင်၏ ကွဲအက်ခြင်းနှင့် ကွဲထွက်ခြင်းကဲ့သို့သော ပြဿနာများကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်မှုနှင့် ချစ်ပ်၏ ရေရှည်ယုံကြည်မှုကို ထိခိုက်စေသည်။ ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများနှင့်ဆင်တူသောအပူတိုးချဲ့ဖော်ကိန်းရှိသော granite bases များကိုအသုံးပြုခြင်းသည် အပူဖိစီးမှုကိုထိရောက်စွာလျှော့ချနိုင်ပြီး etching နှင့် deposition လုပ်ငန်းစဉ်များ၏တည်ငြိမ်မှုနှင့်တိကျမှုကိုသေချာစေသည်။ ့
ထုပ်ပိုးမှုအဆင့်- အပူဓာတ်မညီမှုကြောင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု ပြဿနာများကို ဖြစ်စေသည်။
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုပ်ပိုးမှုအဆင့်တွင်၊ ချစ်ပ်နှင့်ထုပ်ပိုးပစ္စည်း (ဥပမာ epoxy resin၊ ကြွေထည်များစသည်ဖြင့်) အကြားအပူချဲ့ကိန်း၏ လိုက်ဖက်ညီမှုသည် အရေးကြီးပါသည်။ ချစ်ပ်များ ၏ အဓိက ပစ္စည်းဖြစ်သော ဆီလီကွန်၏ အပူချဲ့ကိန်း ကိန်းဂဏန်းမှာ နည်းပါးပြီး ထုပ်ပိုးမှု ပစ္စည်းများ အများစု၏ ပမာဏမှာ အတော်လေး မြင့်မားသည်။ အသုံးပြုနေစဉ်အတွင်း ချစ်ပ်၏ အပူချိန် ပြောင်းလဲသောအခါ၊ အပူချဲ့ဖော်ကိန်းများ မကိုက်ညီသောကြောင့် ချစ်ပ်နှင့် ထုပ်ပိုးပစ္စည်းများကြားတွင် အပူဖိအားများ ဖြစ်ပေါ်လာမည်ဖြစ်သည်။ ့
ထပ်ခါတလဲလဲ အပူချိန်စက်ဝန်းများ (ဥပမာ ချစ်ပ်၏လည်ပတ်မှုအတွင်း အပူနှင့်အအေးပေးခြင်းကဲ့သို့) ဤအပူဒဏ်ကြောင့် ချစ်ပ်နှင့်ထုပ်ပိုးလွှာကြားရှိ ဂဟေအဆစ်များ အက်ကွဲအက်ခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည် သို့မဟုတ် ချစ်ပ်၏မျက်နှာပြင်ရှိ ချည်နှောင်ထားသောဝိုင်ယာများ ကျွတ်သွားကာ နောက်ဆုံးတွင် ချစ်ပ်၏လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်မှု ချို့ယွင်းမှုဖြစ်စေနိုင်သည်။ ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများနှင့် နီးစပ်သော အပူပိုင်းချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းပစ္စည်းများကို ရွေးချယ်ကာ ထုပ်ပိုးမှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း တိကျမှန်ကန်မှုကိုသိရှိနိုင်စေရန် အထူးကောင်းမွန်သောအပူတည်ငြိမ်မှုရှိသော granite စမ်းသပ်ပလပ်ဖောင်းများကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့်၊ အပူပိုင်းမတူညီမှုပြဿနာကို ထိရောက်စွာလျှော့ချနိုင်သည်၊ ထုပ်ပိုးမှု၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို မြှင့်တင်နိုင်ပြီး ချစ်ပ်၏ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တာရှည်ခံနိုင်သည်။ ့
ထုတ်လုပ်မှုပတ်ဝန်းကျင်ထိန်းချုပ်မှု- စက်ကိရိယာများနှင့် စက်ရုံအဆောက်အအုံများ၏ ညှိနှိုင်းတည်ငြိမ်မှု
ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို တိုက်ရိုက်ထိခိုက်စေသည့်အပြင်၊ အပူချဲ့ထွင်ခြင်း၏ ကိန်းဂဏန်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်ရုံများ၏ အလုံးစုံသော ပတ်ဝန်းကျင်ထိန်းချုပ်မှုနှင့်လည်း သက်ဆိုင်ပါသည်။ ကြီးမားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်သည့် အလုပ်ရုံများတွင်၊ လေအေးပေးစက်စနစ်များ စတင်ခြင်းနှင့် ရပ်တန့်ခြင်းနှင့် စက်ပစ္စည်းအစုအဝေးများ၏ အပူများပျံ့နှံ့ခြင်းစသည့်အချက်များသည် ပတ်ဝန်းကျင်အပူချိန်ကို အတက်အကျဖြစ်စေနိုင်သည်။ စက်ရုံကြမ်းပြင်၏ အပူပိုင်းချဲ့ထွင်မှု ကိန်းဂဏန်း၊ စက်ကိရိယာ အခြေစိုက်စခန်းများနှင့် အခြားအခြေခံအဆောက်အအုံများ မြင့်မားနေပါက၊ ရေရှည်အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများသည် ကြမ်းပြင်ကွဲထွက်ပြီး စက်ပစ္စည်းအခြေခံအုတ်မြစ်ပြောင်းသွားကာ ဓါတ်ပုံရိုက်စက်များနှင့် ထွင်းထုစက်များကဲ့သို့ တိကျသောစက်ပစ္စည်းများ၏ တိကျမှုကို ထိခိုက်စေပါသည်။ ့
စက်ပစ္စည်းများကို ပံ့ပိုးပေးသည့်အနေဖြင့် ကျောက်တုံးများကို အသုံးပြု၍ အပူတိုးချဲ့ဖော်ကိန်းနည်းပါးသော စက်ရုံတည်ဆောက်ရေးပစ္စည်းများနှင့် ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့်၊ တည်ငြိမ်သောထုတ်လုပ်မှုပတ်ဝန်းကျင်ကို ဖန်တီးနိုင်ပြီး၊ ပတ်ဝန်းကျင်အပူပုံပျက်ခြင်းကြောင့်ဖြစ်ရသည့် စက်ပစ္စည်းကိရိယာများကို ချိန်ညှိခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုစရိတ်စကများကို လျှော့ချနိုင်ပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှုလိုင်း၏ ရေရှည်တည်ငြိမ်သောလည်ပတ်မှုကို သေချာစေသည်။ ့
အပူချဲ့ခြင်း၏ ကိန်းဂဏန်းသည် ပစ္စည်းရွေးချယ်ခြင်း၊ ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် စမ်းသပ်ခြင်းအထိ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်း၏ ဘဝစက်ဝန်းတစ်ခုလုံးကို လည်ပတ်စေသည်။ ချိတ်ဆက်မှုတိုင်းတွင် အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း၏ သက်ရောက်မှုကို တင်းတင်းကျပ်ကျပ် ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် လိုအပ်သည်။ အပူပိုင်းချဲ့ထွင်မှုနှင့် အခြားအလွန်ကောင်းမွန်သော ဂုဏ်သတ္တိများနှင့်အတူ ၎င်းတို့၏ အလွန်နိမ့်သောနိမ့်သော ဖော်ညွှန်းများဖြင့် Granite အခြေစိုက်စခန်းများသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် တည်ငြိမ်သောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအခြေခံအုတ်မြစ်ကို ပံ့ပိုးပေးကာ ပိုမိုတိကျမှုဆီသို့ Chip ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာစေရေးအတွက် အရေးကြီးသောအာမခံချက်ဖြစ်လာပါသည်။