တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းသည် စက်ပစ္စည်းမှ မြင့်မားသောတိကျမှုနှင့် တည်ငြိမ်မှုကို လိုအပ်သည့် အရေးကြီးသောအဆင့်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ZHHIMG® ဂရန်နိုက်စက်အောက်ခံများသည် wafer ဖြတ်တောက်သည့်စက်များတွင် အသုံးပြုသောအခါ ထူးခြားသောအားသာချက်များစွာကို ပေးစွမ်းပြီး ဤစိန်ခေါ်မှုရှိသောအသုံးချမှုအတွက် အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်စေသည်။
ထူးကဲသောတည်ငြိမ်မှုZHHIMG® ဂရန်နိုက်သည် ၎င်း၏သိပ်သည်းဆ 3100 kg/m³ ခန့်ရှိသောကြောင့် ဝေဖာဖြတ်တောက်သည့်စက်များအတွက် ကျောက်ဆောင်ကဲ့သို့ခိုင်မာသောအခြေခံကို ပေးစွမ်းသည်။ သိပ်သည်းဆမြင့်မားခြင်းသည် အလွန်ကောင်းမွန်သောတည်ငြိမ်မှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အလားအလာရှိသော ရွေ့လျားမှု သို့မဟုတ် တုန်ခါမှုကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေသည်။ ဤတည်ငြိမ်မှုသည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် အနည်းငယ်တုန်ခါမှုပင် ဖြတ်တောက်သည့်ကိရိယာကို ၎င်း၏ရည်ရွယ်ထားသောလမ်းကြောင်းမှ သွေဖည်စေပြီး မတိကျသောဖြတ်တောက်မှုများနှင့် ချို့ယွင်းသောဝေဖာများကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။ သိပ်သည်းဆနည်းသောပစ္စည်းများနှင့်မတူဘဲ ZHHIMG® ဂရန်နိုက်သည် ဖြတ်တောက်သည့်ဦးခေါင်းသည် တိကျစွာတည်ရှိနေစေရန်သေချာစေပြီး ဝေဖာတစ်လျှောက် အရည်အသွေးမြင့်ပြီး တသမတ်တည်းဖြတ်တောက်မှုများကို ထုတ်လုပ်နိုင်စေပါသည်။

အပူနည်းသော ချဲ့ထွင်မှု တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်သည့် စက်ရုံများတွင် အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုကို တင်းကျပ်စွာ ပြုလုပ်လေ့ရှိသော်လည်း အတက်အကျ အနည်းငယ် ဖြစ်ပေါ်နိုင်ပါသည်။ ZHHIMG® မှ ဂရန်နိုက်တွင် အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်း အလွန်နည်းပါသည်။ ဆိုလိုသည်မှာ ထုတ်လုပ်မှုပတ်ဝန်းကျင်အတွင်း အပူချိန် အနည်းငယ်ပြောင်းလဲသွားသည်နှင့်အမျှ ဂရန်နိုက်စက်အခြေခံသည် သိသိသာသာ ချဲ့ထွင်ခြင်း သို့မဟုတ် ကျုံ့ခြင်း မရှိပါ။ တိကျမှု သည်းခံနိုင်စွမ်းများသည် မိုက်ခရိုမီတာ သို့မဟုတ် နာနိုမီတာ အတိုင်းအတာအတွင်းတွင်ပင်ရှိသည့် ဝေဖာဖြတ်တောက်ခြင်းတွင် အပူကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော အတိုင်းအတာပြောင်းလဲမှုများသည် ကပ်ဘေးကြီးတစ်ခု ဖြစ်နိုင်သည်။ ZHHIMG® ဂရန်နိုက်၏ အပူနည်းသော ချဲ့ထွင်မှုသည် ဖြတ်တောက်စက်၏ အစိတ်အပိုင်းများ၏ ချိန်ညှိမှုကို ထိန်းသိမ်းရန် ကူညီပေးပြီး အပူချိန် အနည်းငယ် ပြောင်းလဲမှုများရှိသော်လည်း ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် တိကျမှုရှိနေစေရန် သေချာစေသည်။
ပိုမိုကောင်းမွန်သော တုန်ခါမှုကို လျော့ချပေးခြင်း wafer ဖြတ်တောက်စဉ် ဖြတ်တောက်သည့်ကိရိယာသည် တုန်ခါမှုများကို ထုတ်ပေးပါသည်။ ဤတုန်ခါမှုများကို ထိရောက်စွာ လျော့ချမထားပါက wafer သို့ ကူးပြောင်းသွားနိုင်ပြီး အက်ကွဲခြင်း သို့မဟုတ် အခြားပျက်စီးမှုများကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ ZHHIMG® ဂရန်နိုက်တွင် သဘာဝတုန်ခါမှုကို လျော့ချပေးသည့် ဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။ ၎င်း၏ အတွင်းပိုင်းဖွဲ့စည်းပုံသည် ရှည်လျားသော ဘူမိဗေဒကာလများအတွင်း ဖွဲ့စည်းထားသောကြောင့် တုန်ခါမှုများကို လျင်မြန်စွာ စုပ်ယူပြီး ပျံ့နှံ့စေသည်။ ၎င်းသည် သတ္တုအခြေခံစက်အခြေခံအချို့ထက် သိသာထင်ရှားသော အားသာချက်တစ်ခုဖြစ်ပြီး တုန်ခါမှုများကို ပိုမိုလွယ်ကူစွာ ထုတ်လွှင့်နိုင်သည်။ တုန်ခါမှုများကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် ZHHIMG® ဂရန်နိုက်စက်အခြေခံများသည် ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းများကို ပိုမိုချောမွေ့စေရန် ပံ့ပိုးပေးပြီး ပိုမိုသန့်ရှင်းသော ဖြတ်တောက်မှုများနှင့် အရည်အသွေးမြင့် wafer များကို ရရှိစေပါသည်။
မြင့်မားသော ပွန်းပဲ့မှုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း Wafer ဖြတ်တောက်စက်များကို ပမာဏများများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် စဉ်ဆက်မပြတ် အသုံးပြုကြသည်။ ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် စက်အောက်ခြေကို စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိစီးမှုနှင့် ပွတ်တိုက်မှုဒဏ်ကို ခံရစေသည်။ ZHHIMG® ဂရန်နိုက်၏ မြင့်မားသော မာကျောမှုနှင့် ပွန်းပဲ့မှုခံနိုင်ရည်ရှိသော သဘောသဘာဝသည် စက်အောက်ခြေကို သိသာထင်ရှားသော ပွန်းပဲ့မှုမရှိဘဲ ကြာရှည်စွာ ဤအားများကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေသည်။ ဤကြာရှည်ခံမှုသည် စက်အောက်ခြေသည် ၎င်း၏ အတိုင်းအတာတိကျမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ရှည်လျားသော ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းတစ်လျှောက် ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်ဟု ဆိုလိုသည်။ ၎င်းသည် ပွန်းပဲ့မှုနှင့်ဆက်စပ်သော ပြဿနာများကြောင့် မကြာခဏ အစားထိုးခြင်း သို့မဟုတ် ကုန်ကျစရိတ်များသော ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု လိုအပ်ချက်ကို လျော့နည်းစေပြီး၊ နောက်ဆုံးတွင် semiconductor ထုတ်လုပ်သူများ၏ အချိန်နှင့်ငွေကို သက်သာစေသည်။
ဓာတုဗေဒ မလှုပ်မယှက်နိုင်မှု တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်သည့်ပတ်ဝန်းကျင်များသည် သန့်ရှင်းရေး၊ ထွင်းထုခြင်း သို့မဟုတ် အခြားလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အသုံးပြုသော ဓာတုပစ္စည်းအမျိုးမျိုးနှင့် စက်ပစ္စည်းများကို ထိတွေ့စေနိုင်သည်။ ZHHIMG® ဂရန်နိုက်သည် ဓာတုဗေဒ မလှုပ်မယှက်ဖြစ်ပြီး ဤဓာတုပစ္စည်းများမှ ချေးခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိသည် ပြင်းထန်သော ဓာတုပစ္စည်းများနှင့် ထိတွေ့သည့်တိုင် စက်အောက်ခြေ၏ သမာဓိကို မပျက်မစီးရှိနေစေရန် သေချာစေသည်။ ဓာတုဗေဒ ချေးခြင်းသည် စက်အောက်ခြေ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပုံပျက်စေခြင်း သို့မဟုတ် ယိုယွင်းစေခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်သောကြောင့် အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ ဝေဖာဖြတ်တောက်သည့်စက်၏ တည်ငြိမ်မှုနှင့် တိကျမှုကို ထိန်းသိမ်းရန် ကူညီပေးသည်။
အကျဉ်းချုပ်အားဖြင့် ZHHIMG® ဂရန်နိုက်စက်အောက်ခံများသည် wafer ဖြတ်တောက်သည့်စက်များအတွက် အလွန်အကျိုးရှိသော တည်ငြိမ်မှု၊ အပူခံနိုင်ရည်၊ တုန်ခါမှုကို လျော့ချပေးခြင်း၊ ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်နှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ မလှုပ်မယှက်မှုတို့ကို ပေါင်းစပ်ပေးပါသည်။ wafer ဖြတ်တောက်သည့်စက်များအတွက် အဆင့်မြှင့်တင်မှု သို့မဟုတ် အသစ်ဝယ်ယူမှုကို စဉ်းစားသောအခါ၊ ZHHIMG® ဂရန်နိုက်စက်အောက်ခံပါသည့် စက်ကို ရွေးချယ်ခြင်းသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များ၏ အရည်အသွေးနှင့် ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည့် ပညာရှိဆုံးဖြတ်ချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၅ ခုနှစ်၊ ဇွန်လ ၃ ရက်
