ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းသည် နာနိုစကေးထုတ်လုပ်ရေးလုပ်ငန်းစဉ်များဆီသို့ ရွေ့လျားနေသည့် လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် အဓိကချိတ်ဆက်မှုတစ်ခုအဖြစ် wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းသည် စက်ကိရိယာတည်ငြိမ်မှုအတွက် အလွန်တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များရှိသည်။ ၎င်း၏ထူးခြားသောတုန်ခါမှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိမှုနှင့်အပူတည်ငြိမ်မှုရှိသောကျောက်တုံးအခြေခံသည် wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းကိရိယာ၏အဓိကအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်လာပြီး၊ တိကျသေချာပြီး ထိရောက်မှုမြင့်မားသော wafer လုပ်ငန်းစဉ်ကိုရရှိရန်အတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရသောအာမခံချက်ပေးစွမ်းသည်။ ့
မြင့်မားသော စိုစွတ်မှုနှင့် တုန်ခါမှုဆန့်ကျင်ရေးလက္ခဏာများ- နာနိုအဆင့်ဖြတ်တောက်မှု တိကျမှုကို အကာအကွယ်ပေးသည်။
wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းကိရိယာကိုလည်ပတ်သောအခါ၊ ဗိုင်းလိပ်တံ၏မြန်နှုန်းမြင့်လည်ပတ်မှု၊ ဖြတ်တောက်ကိရိယာ၏ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသောတုန်ခါမှုနှင့်ပတ်ဝန်းကျင်ကိရိယာမှထုတ်ပေးသောပတ်ဝန်းကျင်တုန်ခါမှုအားလုံးသည်ဖြတ်တောက်မှုတိကျမှုအပေါ်သိသိသာသာသက်ရောက်မှုရှိသည်။ ရိုးရာသတ္တုခြေစွပ်များ၏ စိုစွတ်ခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်သည် အကန့်အသတ်ရှိပြီး တုန်ခါမှုများကို လျင်မြန်စွာလျှော့ချရန် ခက်ခဲစေကာ ဖြတ်တောက်ကိရိယာများ၏ မိုက်ခရိုအဆင့်တုန်လှုပ်ခြင်းကို ဖြစ်စေကာ wafers ပေါ်ရှိ ပွန်းပဲ့သောအစွန်းများနှင့် အက်ကြောင်းများကဲ့သို့သော ချို့ယွင်းချက်များကို တိုက်ရိုက်ဖြစ်စေသည်။ Granite Base ၏ မြင့်မားသော စိုစွတ်မှုလက္ခဏာများသည် ဤပြဿနာကို အခြေခံကျကျ ဖြေရှင်းပေးသည်။ ့
Granite ၏ အတွင်းပိုင်း တွင်းထွက်သလင်းကျောက်များသည် နီးကပ်စွာ ရောယှက်ပြီး သဘာဝ စွမ်းအင်များ ပြန့်ကျဲသွားသည့် ဖွဲ့စည်းပုံ ဖြစ်သည်။ တုန်ခါမှုကို အခြေခံသို့ ပေးပို့သောအခါ၊ ၎င်း၏ အတွင်းပိုင်း အဏုဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံသည် တုန်ခါမှုစွမ်းအင်ကို အပူစွမ်းအင်အဖြစ်သို့ လျင်မြန်စွာ ပြောင်းလဲနိုင်ပြီး ထိရောက်သောတုန်ခါမှုလျော့ချမှုကို ရရှိစေသည်။ တူညီသောတုန်ခါမှုပတ်ဝန်းကျင်အောက်တွင် ကျောက်တုံးအခြေစိုက်စခန်းသည် တုန်ခါမှုပမာဏကို 0.5 စက္ကန့်အတွင်း 90% ထက်ပို၍ လျော့ပါးစေပြီး သတ္တုအခြေခံသည် 3 မှ 5 စက္ကန့်အထိ လိုအပ်ကြောင်း စမ်းသပ်ဒေတာပြသထားသည်။ ဤထူးခြားသော စိုစွတ်သောစွမ်းဆောင်ရည်သည် နာနိုစကေးဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ဖြတ်တောက်ခြင်းကိရိယာကို တည်ငြိမ်စေပြီး wafer ဖြတ်တောက်ခြင်း၏ချောမွေ့သောအစွန်းကိုအာမခံပြီး ကွဲထွက်နှုန်းကို ထိထိရောက်ရောက်လျှော့ချပေးသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ 5nm wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ သတ္တုအခြေခံကိရိယာများထက် 40% ကျော်မြင့်သော 10μm အတွင်း အတုံးအရွယ်အစားကို ထိန်းချုပ်နိုင်သော ပစ္စည်းများ။ ့
အပူချဲ့ထွင်ခြင်း၏ အလွန်နည်းသော ကိန်းဂဏန်း- အပူချိန် အတက်အကျများ၏ လွှမ်းမိုးမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ ဖြတ်တောက်ခြင်းကိရိယာများ၏ပွတ်တိုက်မှုကြောင့်ရရှိသောအပူ၊ စက်၏ရေရှည်လည်ပတ်မှုမှအပူများသွေ့ထွက်ခြင်းနှင့်အလုပ်ရုံပတ်ဝန်းကျင်အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများအားလုံးသည်စက်ပစ္စည်းအစိတ်အပိုင်းများ၏အပူပုံပျက်ခြင်းကိုဖြစ်စေနိုင်သည်။ သတ္တုပစ္စည်းများ၏အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းသည် မြင့်မားသည် (ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 12×10⁻⁶/℃)။ အပူချိန် 5 ℃ အပြောင်းအလဲရှိသောအခါ 1 မီတာရှည်သောသတ္တုအခြေခံသည် 60μm ပုံသဏ္ဍာန်ဖြစ်သွားနိုင်ပြီး ဖြတ်တောက်မှုအနေအထားပြောင်းသွားကာ ဖြတ်တောက်မှုတိကျမှုကို ပြင်းထန်စွာထိခိုက်စေပါသည်။ ့
Granite Base ၏ အပူပိုင်းချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းသည် (4-8)×10⁻⁶/℃ သာဖြစ်ပြီး သတ္တုပစ္စည်းများ၏သုံးပုံတစ်ပုံထက်နည်းပါသည်။ တူညီသောအပူချိန်ပြောင်းလဲမှုအောက်တွင်၊ ၎င်း၏အတိုင်းအတာပြောင်းလဲမှုကို လျစ်လျူရှုထားနိုင်လုနီးပါးဖြစ်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်သည့်လုပ်ငန်းတစ်ခု၏ တိုင်းတာသည့်ဒေတာသည် 8 နာရီဆက်တိုက်ပြင်းထန်မှုမြင့်မားသော wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းဆောင်ရွက်မှုအတွင်း ပတ်ဝန်းကျင်အပူချိန် 10 ℃ အတက်အကျရှိသောအခါ၊ သတ္တုအခြေခံသည့် 60μm ထက် 60μm ထက်ကျော်လွန်နေချိန်တွင် စက်ပစ္စည်း၏ဖြတ်တောက်မှုအနေအထားသည် 20μm ထက်နည်းသည်ဟု ဖော်ပြသည်။ ဤတည်ငြိမ်သောအပူပေးစွမ်းဆောင်မှုသည် ဖြတ်တောက်ကိရိယာနှင့် wafer အကြား ဆက်စပ်အနေအထားကို အချိန်တိုင်း တိကျသေချာစေပါသည်။ ရေရှည်စဉ်ဆက်မပြတ်လည်ပတ်မှု သို့မဟုတ် ပတ်ဝန်းကျင်အပူချိန်တွင် ပြင်းထန်သောပြောင်းလဲမှုများအောက်တွင်ပင်၊ ဖြတ်တောက်ခြင်း၏ တိကျမှုကို ထိန်းထားနိုင်သည်။ ့
တောင့်တင်းမှုနှင့် ခံနိုင်ရည်ရှိမှု- စက်ကိရိယာများ၏ ရေရှည်တည်ငြိမ်သောလည်ပတ်မှုကို သေချာပါစေ။
တုန်ခါမှုခံနိုင်ရည်နှင့် အပူတည်ငြိမ်မှု၏ အားသာချက်များအပြင်၊ ကျောက်စိမ်းတုံး၏ မြင့်မားသော တောင့်တင်းမှုနှင့် ခံနိုင်ရည်ရှိမှုသည် wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းကိရိယာများ၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ပိုမိုတိုးတက်စေသည်။ Granite သည် Mohs စကေးတွင် 6 မှ 7 အထိ မာကျောပြီး compressive strength 120MPa ထက်ပိုပါသည်။ ၎င်းသည် ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ကြီးမားသောဖိအားနှင့် သက်ရောက်မှုစွမ်းအားကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ပုံပျက်ခြင်းမဖြစ်နိုင်ပါ။ တစ်ချိန်တည်းတွင်၊ ၎င်း၏သိပ်သည်းသောဖွဲ့စည်းပုံသည်၎င်းအားအလွန်ကောင်းမွန်သောဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်ရှိစေသည်။ မကြာခဏ ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းဆောင်ရွက်စဉ်တွင်ပင်၊ ကိရိယာများသည် တိကျမှုမြင့်မားသော လည်ပတ်မှုကို ကြာရှည်စွာ ထိန်းသိမ်းထားနိုင်စေရန် အရင်း၏မျက်နှာပြင်သည် ဝတ်ဆင်ရန် လွယ်ကူမှုမရှိပါ။ ့
လက်တွေ့အသုံးချမှုတွင်၊ များစွာသော wafer ကုန်ထုတ်လုပ်ငန်းများသည် ခုတ်ထစ်သည့်ပစ္စည်းများကို granite bases ဖြင့်အသုံးပြုခြင်းဖြင့် ထုတ်ကုန်အထွက်နှုန်းနှင့် ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုကို သိသိသာသာတိုးတက်စေသည်။ ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းရှိ ထိပ်တန်းစက်ရုံတစ်ခုမှ အချက်အလက်များအရ ဂရန်နီအခြေခံစက်ကိရိယာများကို မိတ်ဆက်ပြီးနောက် wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းအထွက်နှုန်းသည် 88% မှ 95% ကျော်အထိ တိုးလာခဲ့ပြီး စက်ကိရိယာပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုစက်ဝန်းအား သုံးဆတိုးလာကာ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို ထိရောက်စွာလျှော့ချကာ စျေးကွက်ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းကို မြှင့်တင်ပေးခဲ့ပါသည်။ ့
နိဂုံးချုပ်အားဖြင့်၊ ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သောတုန်ခါမှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိသော၊ အပူတည်ငြိမ်မှု၊ မြင့်မားသောတင်းကျပ်မှုနှင့်ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်ရှိသောကျောက်တုံးကျောက်စိမ်းသည် wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းကိရိယာများအတွက်ပြည့်စုံသောစွမ်းဆောင်ရည်အာမခံချက်ပေးသည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနည်းပညာသည် ပိုမိုတိကျမှုဆီသို့ တိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ၊ ကျောက်စိမ်းတုံးများသည် wafer ထုတ်လုပ်မှုနယ်ပယ်တွင် ပိုမိုအရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်မည်ဖြစ်ပြီး၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်း၏ စဉ်ဆက်မပြတ်ဆန်းသစ်တီထွင်မှုဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးမည်ဖြစ်သည်။
စာတိုက်အချိန်- မေ ၂၀-၂၀၂၅