တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများအတွက် ဂရနိုက်အခြေခံများအတွက် နည်းပညာဆိုင်ရာလိုအပ်ချက်များ။

၁။ အတိုင်းအတာတိကျမှု
ပြားချပ်မှု- အောက်ခြေမျက်နှာပြင်၏ ပြားချပ်မှုသည် အလွန်မြင့်မားသောစံနှုန်းသို့ ရောက်ရှိသင့်ပြီး မည်သည့် 100mm × 100mm ဧရိယာတွင်မဆို ပြားချပ်မှုအမှားသည် ±0.5μm ထက် မကျော်လွန်သင့်ပါ။ အောက်ခြေမျက်နှာပြင်တစ်ခုလုံးအတွက် ပြားချပ်မှုအမှားကို ±1μm အတွင်း ထိန်းချုပ်ထားသည်။ ၎င်းသည် လစ်သိုဂရပ်ဖီပစ္စည်းကိရိယာများ၏ ထိတွေ့မှုဦးခေါင်းနှင့် ချစ်ပ်ထောက်လှမ်းသည့်ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ စမ်းသပ်စားပွဲကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများ၏ အဓိကအစိတ်အပိုင်းများကို မြင့်မားသောတိကျသောမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် တည်ငြိမ်စွာတပ်ဆင်ပြီး လည်ပတ်နိုင်စေရန်၊ ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ အလင်းလမ်းကြောင်းနှင့် ဆားကစ်ချိတ်ဆက်မှု၏ တိကျမှုကို သေချာစေရန်နှင့် အောက်ခြေ၏ မညီမညာမျက်နှာပြင်ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ ရွေ့လျားမှုသွေဖည်မှုကို ရှောင်ရှားရန် သေချာစေပြီး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှုနှင့် ထောက်လှမ်းမှုတိကျမှုကို ထိခိုက်စေပါသည်။
ဖြောင့်တန်းမှု- အောက်ခြေ၏ အစွန်းတစ်ခုစီ၏ ဖြောင့်တန်းမှုသည် အရေးကြီးပါသည်။ အရှည်အလိုက် ဖြောင့်တန်းမှုအမှားသည် ၁ မီတာလျှင် ±1μm ထက် မပိုစေရ။ ထောင့်ဖြတ်ဖြောင့်တန်းမှုအမှားကို ±1.5μm အတွင်း ထိန်းချုပ်ထားသည်။ မြင့်မားသော တိကျမှုရှိသော ပုံနှိပ်ကျောက်စက်ကို ဥပမာအဖြစ် ယူလျှင်၊ စားပွဲသည် အောက်ခြေ၏ လမ်းညွှန်ရထားလမ်းတစ်လျှောက် ရွေ့လျားသောအခါ၊ အောက်ခြေ၏ အစွန်း၏ ဖြောင့်တန်းမှုသည် စားပွဲ၏ လမ်းကြောင်းတိကျမှုကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်စေသည်။ ဖြောင့်တန်းမှုသည် စံမမီပါက ပုံနှိပ်ကျောက်ပုံစံသည် ပုံပျက်ပြီး ပုံပျက်သွားမည်ဖြစ်ပြီး ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှုအထွက်နှုန်းကို လျော့ကျစေသည်။
Parallelism: အောက်ခြေမျက်နှာပြင်၏ အပေါ်နှင့်အောက်မျက်နှာပြင်များ၏ parallelism အမှားကို ±1μm အတွင်း ထိန်းချုပ်သင့်သည်။ ကောင်းမွန်သော parallelism သည် စက်ပစ္စည်းတပ်ဆင်ပြီးနောက် ಒಟ್ಟಾರೆဆွဲငင်အားဗဟို၏ တည်ငြိမ်မှုကို သေချာစေပြီး အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုစီ၏ အားသည် တစ်ပြေးညီဖြစ်သည်။ semiconductor wafer ထုတ်လုပ်သည့် စက်ပစ္စည်းများတွင်၊ အောက်ခြေမျက်နှာပြင်၏ အပေါ်နှင့်အောက်မျက်နှာပြင်များသည် parallel မဖြစ်ပါက၊ wafer သည် လုပ်ဆောင်နေစဉ်အတွင်း စောင်းသွားမည်ဖြစ်ပြီး၊ etching နှင့် coating ကဲ့သို့သော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ပြေးညီဖြစ်မှုကို ထိခိုက်စေပြီး ထို့ကြောင့် ချစ်ပ်စွမ်းဆောင်ရည် တည်ငြိမ်မှုကို ထိခိုက်စေပါသည်။
ဒုတိယအချက်အနေနဲ့ ပစ္စည်းဝိသေသလက္ခဏာများ
မာကျောမှု- ဂရန်နိုက်အခြေခံပစ္စည်း၏ မာကျောမှုသည် Shore မာကျောမှု HS70 သို့မဟုတ် ထို့ထက်မြင့်သောအဆင့်သို့ ရောက်ရှိသင့်သည်။ မာကျောမှုမြင့်မားခြင်းသည် စက်ပစ္စည်းလည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း အစိတ်အပိုင်းများ မကြာခဏရွေ့လျားခြင်းနှင့် ပွတ်တိုက်ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ဟောင်းနွမ်းမှုကို ထိရောက်စွာ ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ရေရှည်အသုံးပြုပြီးနောက် အခြေခံသည် မြင့်မားသောတိကျမှုရှိသော အရွယ်အစားကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ကြောင်း သေချာစေသည်။ ချစ်ပ်ထုပ်ပိုးသည့် စက်ပစ္စည်းများတွင်၊ စက်ရုပ်လက်မောင်းသည် ချစ်ပ်ကို အခြေခံပေါ်တွင် မကြာခဏ ဆုပ်ကိုင်ပြီး တင်လေ့ရှိပြီး အခြေခံ၏ မာကျောမှုမြင့်မားခြင်းသည် မျက်နှာပြင်သည် ခြစ်ရာများ မဖြစ်ပေါ်စေရန်နှင့် စက်ရုပ်လက်မောင်းလှုပ်ရှားမှု၏ တိကျမှုကို ထိန်းသိမ်းရန် သေချာစေသည်။
သိပ်သည်းဆ- ပစ္စည်းသိပ်သည်းဆသည် 2.6-3.1 g/cm³ အကြားရှိသင့်သည်။ သင့်လျော်သောသိပ်သည်းဆသည် အောက်ခြေကို အရည်အသွေးကောင်းမွန်သော တည်ငြိမ်မှုရှိစေပြီး စက်ပစ္စည်းများကို ထောက်ပံ့ရန် လုံလောက်သော မာကျောမှုကို သေချာစေပြီး အလေးချိန်လွန်ကဲခြင်းကြောင့် စက်ပစ္စည်းများ တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် သယ်ယူပို့ဆောင်ခြင်းတွင် အခက်အခဲများ မဖြစ်စေပါ။ ကြီးမားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း စစ်ဆေးရေး စက်ပစ္စည်းများတွင် တည်ငြိမ်သော အောက်ခြေသိပ်သည်းဆသည် စက်ပစ္စည်းများ လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း တုန်ခါမှုထုတ်လွှင့်မှုကို လျှော့ချရန်နှင့် ထောက်လှမ်းမှုတိကျမှုကို တိုးတက်စေရန် ကူညီပေးသည်။
အပူတည်ငြိမ်မှု- linear expansion coefficient သည် 5×10⁻⁶/℃ ထက်နည်းသည်။ semiconductor ပစ္စည်းကိရိယာများသည် အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများကို အလွန်ထိခိုက်လွယ်ပြီး base ၏ thermal stability သည် ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ တိကျမှုနှင့် တိုက်ရိုက်ဆက်စပ်နေသည်။ lithography လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အပူချိန်အတက်အကျများသည် base ၏ ချဲ့ထွင်ခြင်း သို့မဟုတ် ကျုံ့ခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်ပြီး exposure pattern ၏ အရွယ်အစားတွင် သွေဖည်မှုကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်။ linear expansion coefficient နိမ့်သော granite base သည် ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ လည်ပတ်မှုအပူချိန် (ယေဘုယျအားဖြင့် 20-30°C) ပြောင်းလဲသောအခါ အရွယ်အစားပြောင်းလဲမှုကို အလွန်သေးငယ်သောအပိုင်းအခြားတွင် ထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး lithography တိကျမှုကို သေချာစေသည်။
တတိယအချက်၊ မျက်နှာပြင်အရည်အသွေး
ကြမ်းတမ်းမှု- အောက်ခြေရှိ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု Ra တန်ဖိုးသည် 0.05μm ထက် မပိုပါ။ အလွန်ချောမွေ့သော မျက်နှာပြင်သည် ဖုန်မှုန့်နှင့် မသန့်စင်မှုများ စုပ်ယူမှုကို လျှော့ချပေးနိုင်ပြီး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှုပတ်ဝန်းကျင်၏ သန့်ရှင်းမှုအပေါ် သက်ရောက်မှုကို လျှော့ချပေးနိုင်သည်။ ဖုန်မှုန့်ကင်းစင်သော ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှုအလုပ်ရုံတွင် အမှုန်အမွှားငယ်များသည် ချစ်ပ်၏ ပတ်လမ်းတိုခြင်းကဲ့သို့သော ချို့ယွင်းချက်များကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်ပြီး အောက်ခြေ၏ ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင်သည် အလုပ်ရုံ၏ သန့်ရှင်းသောပတ်ဝန်းကျင်ကို ထိန်းသိမ်းရန်နှင့် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှုကို တိုးတက်စေရန် ကူညီပေးသည်။
အဏုကြည့်မှန်ပြောင်းဖြင့်သာမြင်ရသော ချို့ယွင်းချက်များ- အောက်ခြေမျက်နှာပြင်တွင် မြင်သာသောအက်ကွဲကြောင်းများ၊ သဲပေါက်များ၊ အပေါက်ငယ်များနှင့် အခြားချို့ယွင်းချက်များ ရှိခွင့်မပြုပါ။ အဏုကြည့်မှန်ပြောင်းဖြင့်သာမြင်ရသော အဆင့်တွင်၊ အီလက်ထရွန် အဏုကြည့်မှန်ပြောင်းဖြင့်ကြည့်လျှင် စတုရန်းစင်တီမီတာလျှင် 1μm ထက်ပိုသော ချို့ယွင်းချက်အရေအတွက်သည် 3 ခုထက် မပိုစေရ။ ဤချို့ယွင်းချက်များသည် အောက်ခြေ၏ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှုနှင့် မျက်နှာပြင်ပြားချပ်မှုကို ထိခိုက်စေပြီးနောက် ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ တည်ငြိမ်မှုနှင့် တိကျမှုကို ထိခိုက်စေလိမ့်မည်။
စတုတ္ထ၊ တည်ငြိမ်မှုနှင့် တုန်ခါမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း
ဒိုင်းနမစ်တည်ငြိမ်မှု- တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများ (တုန်ခါမှုကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား 10-1000Hz၊ amplitude 0.01-0.1mm) လည်ပတ်မှုမှ ထုတ်ပေးသော တုပထားသောတုန်ခါမှုပတ်ဝန်းကျင်တွင်၊ အောက်ခြေရှိ အဓိကတပ်ဆင်သည့်နေရာများ၏ တုန်ခါမှုရွေ့လျားမှုကို ±0.05μm အတွင်း ထိန်းချုပ်သင့်သည်။ ဥပမာအားဖြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများကို လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း ကိရိယာ၏ကိုယ်ပိုင်တုန်ခါမှုနှင့် ပတ်ဝန်းကျင်တုန်ခါမှုကို အောက်ခြေသို့ ပေးပို့ပါက စမ်းသပ်မှုအချက်ပြမှု၏ တိကျမှုကို အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေနိုင်သည်။ ကောင်းမွန်သော ဒိုင်းနမစ်တည်ငြိမ်မှုသည် ယုံကြည်စိတ်ချရသော စမ်းသပ်မှုရလဒ်များကို သေချာစေနိုင်သည်။
ငလျင်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်- အောက်ခြေတွင် ငလျင်ဒဏ်ခံနိုင်ရည် အလွန်ကောင်းမွန်ရမည်ဖြစ်ပြီး ရုတ်တရက် ပြင်ပတုန်ခါမှု (ဥပမာ ငလျင်လှိုင်းတုတုန်ခါမှုကဲ့သို့) ကြုံတွေ့ရသည့်အခါ တုန်ခါမှုစွမ်းအင်ကို လျင်မြန်စွာ လျော့ကျစေနိုင်ပြီး စက်ပစ္စည်း၏ အဓိကအစိတ်အပိုင်းများ၏ ဆွေမျိုးအနေအထားသည် ±0.1μm အတွင်း ပြောင်းလဲသွားကြောင်း သေချာစေနိုင်သည်။ ငလျင်လှုပ်လေ့ရှိသော နေရာများရှိ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းစက်ရုံများတွင် ငလျင်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသော အောက်ခြေများသည် စျေးကြီးသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများကို ထိရောက်စွာ ကာကွယ်ပေးနိုင်ပြီး တုန်ခါမှုကြောင့် စက်ပစ္စည်းပျက်စီးမှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှုပြတ်တောက်မှုအန္တရာယ်ကို လျှော့ချပေးနိုင်သည်။
၅။ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှု
ချေးခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း- ဂရန်နိုက်အခြေခံသည် ဟိုက်ဒရိုဖလိုရစ်အက်ဆစ်၊ အကွာရီဂျာစသည့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အဖြစ်များသော ဓာတုပစ္စည်းများ၏ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိရမည်။ ဟိုက်ဒရိုဖလိုရစ်အက်ဆစ် ပျော်ရည်တွင် ၄၀% ထုထည်အပိုင်းအခြားဖြင့် ၂၄ နာရီစိမ်ပြီးနောက် မျက်နှာပြင်အရည်အသွေး ဆုံးရှုံးမှုနှုန်း ၀.၀၁% ထက် မပိုစေရ။ အကွာရီဂျာ (ဟိုက်ဒရိုကလိုရစ်အက်ဆစ်နှင့် နိုက်ထရစ်အက်ဆစ် အချိုး ၃:၁) တွင် ၁၂ နာရီစိမ်ပြီး မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ချေးခံနိုင်ရည်မရှိသလောက်ဖြစ်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ထွင်းထုခြင်းနှင့် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်အမျိုးမျိုးပါဝင်ပြီး အခြေခံ၏ ချေးခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်ခြင်းသည် ဓာတုပတ်ဝန်းကျင်တွင် ရေရှည်အသုံးပြုမှုကို တိုက်စားခြင်းမရှိစေရန်နှင့် တိကျမှုနှင့် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ တည်တံ့ခိုင်မြဲမှုကို ထိန်းသိမ်းထားကြောင်း သေချာစေနိုင်သည်။
ညစ်ညမ်းမှုကာကွယ်ခြင်း- အခြေခံပစ္စည်းသည် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ငွေ့များ၊ သတ္တုအိုင်းယွန်းများ စသည်တို့ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်သည့်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အဖြစ်များသော ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများကို စုပ်ယူမှုအလွန်နည်းပါးသည်။ အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ငွေ့ ၁၀ PPM (ဥပမာ၊ ဘင်ဇင်း၊ တိုလူရင်း) နှင့် သတ္တုအိုင်းယွန်း ၁ ppm (ဥပမာ၊ ကြေးနီအိုင်းယွန်း၊ သံအိုင်းယွန်း) ပါဝင်သောပတ်ဝန်းကျင်တွင် ၇၂ နာရီကြာထားသောအခါ၊ အခြေခံမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများ စုပ်ယူမှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော စွမ်းဆောင်ရည်ပြောင်းလဲမှုမှာ မပြောပလောက်ပါ။ ၎င်းသည် ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများသည် အခြေခံမျက်နှာပြင်မှ ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်သည့်နေရာသို့ ရွှေ့ပြောင်းသွားပြီး ချစ်ပ်အရည်အသွေးကို ထိခိုက်စေခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးသည်။