ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းကိရိယာများအတွက် ဂရန်နီအခြေခံများအတွက် နည်းပညာလိုအပ်ချက်များ။

1. Dimensional တိကျမှု
Flatness- အောက်ခံမျက်နှာပြင်၏ပြားချပ်ချပ်သည် အလွန်မြင့်မားသောစံနှုန်းတစ်ခုသို့ ရောက်ရှိသင့်ပြီး ပြားချပ်ချပ်အမှားသည် မည်သည့် 100mm × 100mm ဧရိယာတွင် ±0.5μm ထက် မကျော်လွန်သင့်ပါ။ အခြေခံလေယာဉ်တစ်ခုလုံးအတွက်၊ ပြားချပ်ချပ်အမှားကို ±1μmအတွင်း ထိန်းချုပ်ထားသည်။ ၎င်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာ၏ အဓိကအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည့် lithography ပစ္စည်းများ၏ အလင်းဝင်ပေါက်ဦးခေါင်းနှင့် ချစ်ပ်ထောက်လှမ်းမှုဇယားကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများ၏ အဓိကအစိတ်အပိုင်းများကို တိကျမှုမြင့်မားသောလေယာဉ်ပေါ်တွင် တည်ငြိမ်စွာတပ်ဆင်နိုင်ပြီး လည်ပတ်နိုင်စေရန်၊ စက်၏ optical လမ်းကြောင်းနှင့် circuit ချိတ်ဆက်မှု၏တိကျမှုကိုသေချာစေပြီး၊ ထုတ်လုပ်မှု၏မညီမညာဖြစ်နေသော ချစ်ပ်ပြားနှင့် base ၏မညီမညာဖြစ်နေသော ချစ်ပ်ပြားကြောင့်ဖြစ်ရသည့် အစိတ်အပိုင်းများ၏ နေရာရွှေ့ပြောင်းမှုကို ရှောင်ရှားရန်၊
ဖြောင့်ခြင်း- အခြေခံအစွန်းတစ်ခုစီ၏ ဖြောင့်ဖြောင့်မှုသည် အရေးကြီးပါသည်။ အရှည်၏ဦးတည်ချက်တွင်၊ ဖြောင့်မှုအမှားသည် 1m လျှင် ±1μm ထက်မပိုစေရပါ။ ထောင့်ဖြတ်ဖြောင့်မှုအမှားကို ±1.5μm အတွင်း ထိန်းချုပ်ထားသည်။ တိကျသေချာသော လစ်သမိုဂရပ်ဖစ်စက်ကို နမူနာအဖြစ် ယူ၍ စားပွဲသည် အောက်ခြေလမ်းညွှန်ရထားလမ်းတစ်လျှောက် ရွေ့သွားသောအခါ၊ အောက်ခြေအစွန်း၏ ဖြောင့်ဖြောင့်မှုသည် ဇယား၏ လမ်းကြောင်းတိကျမှုကို တိုက်ရိုက်သက်ရောက်သည်။ ဖြောင့်တန်းမှုသည် စံနှုန်းအတိုင်းမဟုတ်ပါက၊ lithography ပုံစံသည် ပုံပျက်နေပြီး ပုံပျက်သွားမည်ဖြစ်ပြီး ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှုအထွက်နှုန်းကို လျော့ကျစေသည်။
Parallelism- အခြေခံ၏ အထက်နှင့် အောက်မျက်နှာပြင်များ၏ အပြိုင်အမှားကို ±1μm အတွင်း ထိန်းချုပ်သင့်သည်။ စက်ကိရိယာများတပ်ဆင်ပြီးနောက် မျဉ်းပြိုင်ကောင်းခြင်းသည် ဒြပ်ဆွဲအားတစ်ခုလုံး၏ ဗဟိုချက်မတည်ငြိမ်မှုကို သေချာစေပြီး အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုစီ၏ တွန်းအားသည် တူညီသည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ wafer ထုတ်လုပ်သည့်ကိရိယာတွင်၊ အခြေခံ၏အပေါ်နှင့်အောက်မျက်နှာပြင်သည် အပြိုင်မဟုတ်ပါက၊ wafer သည် လုပ်ဆောင်နေစဉ်အတွင်း တိမ်းစောင်းသွားမည်ဖြစ်ပြီး၊ etching နှင့် coating ကဲ့သို့သော လုပ်ငန်းစဉ်တူညီမှုကို ထိခိုက်စေပြီး ချစ်ပ်၏စွမ်းဆောင်ရည်ညီညွတ်မှုကို ထိခိုက်စေပါသည်။
ဒုတိယအချက်၊ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာလက္ခဏာများ
မာကျောမှု- ကျောက်တုံးအခြေခံပစ္စည်း၏ မာကျောမှုသည် Shore hardness HS70 သို့မဟုတ် အထက်သို့ရောက်ရှိသင့်သည်။ မြင့်မားသော မာကျောမှု သည် စက်လည်ပတ်စဉ်အတွင်း မကြာခဏ ရွေ့လျားမှုနှင့် ပွတ်တိုက်မှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ ဝတ်ဆင်မှုကို ထိရောက်စွာ ခုခံနိုင်ပြီး အခြေခံသည် ရေရှည်အသုံးပြုပြီးနောက် မြင့်မားသောတိကျသောအရွယ်အစားကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ကြောင်း သေချာစေပါသည်။ ချစ်ပ်ထုပ်ပိုးသည့် ကိရိယာများတွင် စက်ရုပ်လက်မောင်းသည် ချစ်ပ်ပြားကို အောက်ခြေတွင် မကြာခဏ ဖမ်းဆုပ်ကာ နေရာချပေးကာ အောက်ခြေ၏ မာကျောမှု မြင့်မားမှုသည် မျက်နှာပြင်သည် ခြစ်ရာများထွက်ရန် လွယ်ကူခြင်းမရှိကြောင်းနှင့် စက်ရုပ်လက်မောင်းလှုပ်ရှားမှု၏ တိကျမှုကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်မည်ဖြစ်သည်။
သိပ်သည်းဆ- ပစ္စည်းသိပ်သည်းဆသည် 2.6-3.1 g/cm³ အကြား ဖြစ်သင့်သည်။ သင့်လျော်သောသိပ်သည်းဆသည် အခြေခံအား အရည်အသွေးကောင်းမွန်သော တည်ငြိမ်မှုကို ဖြစ်စေပြီး ကိရိယာများကို ပံ့ပိုးရန် လုံလောက်သော တောင့်တင်းမှုကို သေချာစေကာ အလေးချိန်များလွန်းခြင်းကြောင့် စက်ပစ္စည်းများ၏ တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးတွင် အခက်အခဲများရှိလာမည်မဟုတ်ပေ။ ကြီးမားသော semiconductor စစ်ဆေးရေးကိရိယာများတွင်၊ တည်ငြိမ်သောအခြေခံသိပ်သည်းဆသည် စက်ပစ္စည်းလည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း တုန်ခါမှုကူးစက်မှုကို လျှော့ချပေးပြီး ထောက်လှမ်းတိကျမှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
အပူတည်ငြိမ်မှု- linear expansion coefficient သည် 5×10⁻⁶/℃ ထက်နည်းသည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများသည် အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများအတွက် အလွန်အကဲဆတ်ပြီး အခြေခံ၏အပူတည်ငြိမ်မှုသည် စက်ကိရိယာများ၏တိကျမှုနှင့် တိုက်ရိုက်သက်ဆိုင်သည်။ lithography လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ အပူချိန်အတက်အကျများသည် အခြေခံ၏ ချဲ့ထွင်ခြင်း သို့မဟုတ် ကျုံ့ခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်ပြီး ထိတွေ့မှုပုံစံ၏ အရွယ်အစားကို သွေဖည်သွားစေနိုင်သည်။ ပုံသဏ္ဍာန်တိကျမှုသေချာစေရန် စက်၏လည်ပတ်မှုအပူချိန် (ယေဘုယျအားဖြင့် 20-30 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်) ပြောင်းလဲသောအခါတွင် မျဉ်းချဲ့ဖော်ကိန်းနိမ့်သော linear expansion coefficient ရှိသော ကျောက်တုံးအခြေခံသည် အရွယ်အစားပြောင်းလဲမှုကို ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။
တတိယ၊ မျက်နှာပြင်အရည်အသွေး
ကြမ်းတမ်းမှု- အခြေခံပေါ်ရှိ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု Ra တန်ဖိုးသည် 0.05μm ထက်မပိုပါ။ အလွန်ချောမွေ့သော မျက်နှာပြင်သည် ဖုန်မှုန့်များနှင့် အညစ်အကြေးများ စုပ်ယူမှုကို လျှော့ချနိုင်ပြီး semiconductor ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်သည့် ပတ်ဝန်းကျင်၏ သန့်ရှင်းမှုအပေါ် သက်ရောက်မှုကို လျှော့ချနိုင်သည်။ ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်း၏ ဖုန်မှုန့်ကင်းစင်သော အလုပ်ရုံတွင်၊ ချစ်ပ်၏ ဝါယာရှော့ဖြစ်သည့် သေးငယ်သောအမှုန်အမွှားများသည် ချို့ယွင်းချက်ဖြစ်စေနိုင်ပြီး အခြေခံ၏ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင်သည် အလုပ်ရုံ၏သန့်ရှင်းသောပတ်ဝန်းကျင်ကို ထိန်းသိမ်းရန်နှင့် ချစ်ပ်အထွက်နှုန်းကို တိုးတက်စေရန် ကူညီပေးသည်။
မိုက်ခရိုစကုပ်ချို့ယွင်းချက်များ- အောက်ခံမျက်နှာပြင်သည် မြင်နိုင်သောအက်ကွဲများ၊ သဲပေါက်များ၊ ချွေးပေါက်များနှင့် အခြားချို့ယွင်းချက်များရှိရန် ခွင့်မပြုပါ။ အဏုကြည့်အဆင့်တွင်၊ တစ်စတုရန်းစင်တီမီတာလျှင် 1μm ထက်ကြီးသော အချင်းရှိသော ချို့ယွင်းချက်အရေအတွက်သည် အီလက်ထရွန်အဏုကြည့်ခြင်းဖြင့် 3 ထက်မပိုစေရပါ။ ဤချို့ယွင်းချက်များသည် အခြေခံတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် မျက်နှာပြင်ညီညာမှုကို ထိခိုက်စေမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့နောက် စက်၏တည်ငြိမ်မှုနှင့် တိကျမှုကို ထိခိုက်စေမည်ဖြစ်သည်။
စတုတ္ထအချက်မှာ တည်ငြိမ်မှုနှင့် တုန်လှုပ်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
ဒိုင်းနမစ်တည်ငြိမ်မှု- တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများ၏လည်ပတ်မှုမှထုတ်ပေးသည့် တုန်ခါမှုပတ်ဝန်းကျင်တွင် (တုန်ခါမှုကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး 10-1000Hz၊ ပမာဏ 0.01-0.1mm)၊ အခြေစိုက်စခန်းရှိ သော့တပ်ဆင်သည့်နေရာများ၏ တုန်ခါမှုရွှေ့ပြောင်းခြင်းကို ±0.05μm အတွင်း ထိန်းချုပ်သင့်သည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စမ်းသပ်ကိရိယာကို နမူနာအဖြစ် ယူ၍ လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း စက်၏ကိုယ်ပိုင်တုန်ခါမှုနှင့် ပတ်ဝန်းကျင်ပတ်ဝန်းကျင် တုန်ခါမှုတို့ကို အခြေခံသို့ ပို့လွှတ်ပါက စမ်းသပ်အချက်ပြမှု၏တိကျမှုကို အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေနိုင်သည်။ ကောင်းမွန်သော ရွေ့လျားတည်ငြိမ်မှုသည် ယုံကြည်စိတ်ချရသော စမ်းသပ်မှုရလဒ်များကို သေချာစေနိုင်သည်။
ငလျင်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်- အခြေစိုက်စခန်းသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော ငလျင်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိရမည်ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် ရုတ်တရက်ပြင်ပတုန်ခါမှု (ဥပမာ ငလျင်လှိုင်းပုံသဏ္ဍာန်တုန်ခါမှုကဲ့သို့) ကို ခံရသည့်အခါ တုန်ခါမှုစွမ်းအင်ကို လျင်မြန်စွာလျော့ချနိုင်ပြီး စက်ကိရိယာ၏ အဓိကအစိတ်အပိုင်းများ၏ ဆွေမျိုးအနေအထားကို ±0.1μm အတွင်း ပြောင်းလဲကြောင်း သေချာပါစေ။ ငလျင်ဒဏ်ခံရသော ဒေသများရှိ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ရုံများတွင် ငလျင်ဒဏ်ခံနိုင်သော အခြေစိုက်စခန်းများသည် တုန်ခါမှုကြောင့် တန်ဖိုးကြီးသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများကို ထိရောက်စွာ ကာကွယ်ပေးနိုင်ပြီး တုန်ခါမှုကြောင့် စက်ပစ္စည်းများ ပျက်စီးမှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှု အနှောင့်အယှက်ဖြစ်နိုင်ခြေကို လျှော့ချနိုင်သည်။
5. ဓာတုတည်ငြိမ်မှု
သံချေးတက်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်- ကျောက်တုံးအခြေခံသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်သည့်လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ဘုံဓာတုအေးဂျင့်များ ချေးတက်ခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိသင့်သည်။ hydrofluoric acid၊ aqua regia စသည်တို့တွင် hydrofluoric acid ပျော်ရည်တွင် 40% အစုလိုက်အပြုံလိုက် 24 နာရီကြာစိမ်ပြီးနောက်၊ မျက်နှာပြင်အရည်အသွေးဆုံးရှုံးမှုနှုန်းသည် 0.01% ထက်မပိုစေရပါ။ aqua regia (ဟိုက်ဒရိုကလိုရစ်အက်ဆစ် နှင့် နိုက်ထရစ်အက်ဆစ် 3:1) တွင် ၁၂ နာရီကြာ စိမ်ထားရပြီး မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် သိသိသာသာ သဲလွန်စများ မတွေ့ရပါ။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ဓာတုဗေဒင်နှင့် သန့်စင်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ် အမျိုးမျိုး ပါဝင်ပြီး အခြေခံ၏ ကောင်းမွန်သော သံချေးတက်မှု ခံနိုင်ရည်ရှိမှုသည် ဓာတုပတ်ဝန်းကျင်တွင် ရေရှည်အသုံးပြုမှု ပျက်ပြားသွားခြင်း မရှိစေရန်နှင့် တိကျမှုနှင့် ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်မည်ဖြစ်သည်။
ညစ်ညမ်းမှုကို ဆန့်ကျင်ခြင်း- အခြေခံပစ္စည်းတွင် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ငွေ့များ၊ သတ္တုအိုင်းယွန်းများ ကဲ့သို့သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်သည့် ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ဘုံညစ်ညမ်းစေသော စုပ်ယူမှု အလွန်နည်းပါသည်။ အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ငွေ့ 10 PPM (ဥပမာ၊ benzene၊ toluene) နှင့် သတ္တုအိုင်းယွန်း 1ppm (ဥပမာ၊ ကြေးနီအိုင်းယွန်း၊ သံအိုင်းယွန်း) ပါဝင်သော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ထားရှိသောအခါ၊ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ညစ်ညမ်းမှုသည် 72 နာရီကြာ စုပ်ယူနိုင်သည် အားနည်းသော။ ၎င်းသည် အောက်ခြေမျက်နှာပြင်မှ ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်သည့်နေရာသို့ ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများ ရွှေ့ပြောင်းခြင်းမှ တားဆီးကာ ချစ်ပ်အရည်အသွေးကို ထိခိုက်စေပါသည်။