တိကျစွာထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် သိပ္ပံနည်းကျသုတေသနနယ်ပယ်များတွင် ဂရန်နိုက်တိကျစွာပြုလုပ်ထားသော ပလက်ဖောင်းများ၏ ပြားချပ်မှုသည် ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ တိကျမှုကိုသေချာစေရန် အဓိကညွှန်ပြချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။ အောက်ပါတို့သည် သင့်အတွက် အဓိကထောက်လှမ်းနည်းလမ်းများစွာနှင့် ၎င်းတို့၏လည်ပတ်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများကို အသေးစိတ်မိတ်ဆက်ခြင်းဖြစ်သည်။
I. လေဆာ အင်တာဖရိုမီတာ ထောက်လှမ်းခြင်း နည်းလမ်း
လေဆာ interferometer သည် မြင့်မားသောတိကျမှု flatness ထောက်လှမ်းမှုအတွက် ဦးစားပေးကိရိယာဖြစ်သည်။ ZYGO GPI XP laser interferometer ကို ဥပမာအဖြစ်ယူပါ၊ ၎င်း၏ resolution သည် 0.1nm အထိရောက်ရှိနိုင်သည်။ ထောက်လှမ်းမှုကိုပြုလုပ်သောအခါ၊ ဦးစွာ interferometer ၏ အလင်းအရင်းအမြစ်ကို platform နှင့် ချိန်ညှိပြီး platform မျက်နှာပြင်ကို 50mm×50mm grid area များအဖြစ် ပိုင်းခြားပါ။ ထို့နောက်၊ interference fringe data များကို အမှတ်စဉ်အလိုက် စုဆောင်းခဲ့ပြီး flatness error ကိုရရှိရန် Zernike polynomial ကို အသုံးပြု၍ data များကို တပ်ဆင်ပြီး ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခဲ့သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် မြင့်မားသောတိကျမှု platform များအတွက် သက်ဆိုင်ပြီး ≤0.5μm/m² ၏ flatness error များကို ထောက်လှမ်းနိုင်သည်။ ၎င်းကို photolithography စက်များနှင့် high-end three-coordinate measuring machine platform များကို ထောက်လှမ်းရာတွင် အသုံးများသည်။
II. အီလက်ထရွန်းနစ် အဆင့် စီရီရယ် နည်းလမ်း
အီလက်ထရွန်းနစ် အဆင့် စီတန်း ထောက်လှမ်းခြင်းသည် လည်ပတ်ရန် ရိုးရှင်းပြီး အလွန်ထိရောက်မှုရှိပါသည်။ TESA A2 အီလက်ထရွန်းနစ် အဆင့် (0.01μm/m resolution ဖြင့်) ကို ရွေးချယ်ပြီး ပလက်ဖောင်း၏ X/Y ဝင်ရိုး ဦးတည်ရာတစ်လျှောက် 9×9 စီတန်းတွင် စီစဉ်ထားပါသည်။ အဆင့်တစ်ခုစီ၏ စောင်းနေသော အချက်အလက်များကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း စုဆောင်းပြီးနောက် တွက်ချက်ရန်အတွက် အနည်းဆုံး စတုရန်းနည်းလမ်းကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် ပြားချပ်မှုတန်ဖိုးကို တိကျစွာ ရရှိနိုင်ပါသည်။ ဤနည်းလမ်းသည် ပလက်ဖောင်း၏ ဒေသတွင်း ခွက်ဝင်ရိုးနှင့် ခုံးဝင်ရိုး အခြေအနေများကို ထိရောက်စွာ ခွဲခြားသတ်မှတ်နိုင်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ 50mm အကွာအဝေးအတွင်း 0.2μm ၏ အတက်အကျကိုလည်း ထောက်လှမ်းနိုင်ပြီး အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုတွင် လျင်မြန်စွာ ထောက်လှမ်းရန်အတွက် သင့်လျော်ပါသည်။
III. Optical Flat crystal နည်းလမ်း
optical flat crystal နည်းလမ်းသည် ဧရိယာသေးငယ်သော ပလက်ဖောင်းများကို ထောက်လှမ်းရန်အတွက် သင့်လျော်ပါသည်။ ပလက်ဖောင်းပေါ်တွင် စမ်းသပ်မည့် မျက်နှာပြင်နှင့် optical flat crystal ကို တင်းတင်းကျပ်ကျပ် တပ်ဆင်ပြီး ဆိုဒီယမ်မီးခွက်ကဲ့သို့သော monochromatic light source ၏ အလင်းရောင်အောက်တွင် ၎င်းတို့အကြားတွင် ဖြစ်ပေါ်လာသော interference strands များကို ကြည့်ရှုပါ။ အစင်းများသည် parallel straight stripes များဖြစ်ပါက ၎င်းသည် ကောင်းမွန်သော flatness ကို ညွှန်ပြသည်။ curved stripes များပေါ်လာပါက၊ stripe curvature ၏ ဒီဂရီအပေါ်အခြေခံ၍ flatness error ကို တွက်ချက်ပါ။ Curved stripes တစ်ခုစီသည် အမြင့်ကွာခြားချက် 0.316μm ကို ကိုယ်စားပြုပြီး flatness data ကို ရိုးရှင်းသော conversion မှတစ်ဆင့် ရယူနိုင်ပါသည်။
လေး။ သုံး-ကိုဩဒိနိတ်တိုင်းတာစက် စစ်ဆေးခြင်းနည်းလမ်း
သုံးဖက်မြင် တိုင်းတာရေးစက်သည် သုံးဖက်မြင် အာကာသတွင် မြင့်မားသော တိကျမှုရှိသော တိုင်းတာမှုကို ရရှိနိုင်သည်။ ဂရက်နိုက် ပလက်ဖောင်းကို တိုင်းတာစက်၏ အလုပ်စားပွဲပေါ်တွင် တင်ပြီး ပလက်ဖောင်း၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ တိုင်းတာမှုအမှတ်များစွာမှ အချက်အလက်များကို တစ်ပြေးညီ စုဆောင်းရန် probe ကို အသုံးပြုသည်။ တိုင်းတာရေးစက်စနစ်သည် ဤအချက်အလက်များကို လုပ်ဆောင်ပြီး ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာကာ ပလက်ဖောင်း၏ ပြားချပ်မှုအစီရင်ခံစာကို ထုတ်ပေးသည်။ ဤနည်းလမ်းသည် ပြားချပ်မှုကို ထောက်လှမ်းနိုင်ရုံသာမက ပလက်ဖောင်း၏ အခြားဂျီဩမေတြီ ကန့်သတ်ချက်များကိုလည်း တစ်ပြိုင်နက်တည်း ရယူနိုင်ပြီး ဂရက်နိုက်ပလက်ဖောင်းကြီးများကို ပြည့်စုံစွာ ထောက်လှမ်းရန်အတွက် သင့်လျော်သည်။
ဤထောက်လှမ်းနည်းလမ်းများကို ကျွမ်းကျင်စွာလုပ်ဆောင်ခြင်းဖြင့် ဂရက်နိုက်တိကျသောပလက်ဖောင်း၏ ပြားချပ်မှုကို တိကျစွာအကဲဖြတ်နိုင်ပြီး တိကျသောပစ္စည်းများ၏ တည်ငြိမ်သောလည်ပတ်မှုအတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရသောအာမခံချက်ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပါသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၅ ခုနှစ်၊ မေလ ၂၉ ရက်